<span helvetica="" neue",="" helvetica,="" 微軟正黑體,="" arial,="" 文泉驛正黑,="" "wenquanyi="" zen="" hei",="" "儷黑="" pro",="" "lihei="" "microsoft="" jhenghei",="" sans-serif;="" font-size:="" 15px;"="">為了改善太陽能電池中載子在金屬及矽晶片接觸接面的復合問題，在兩者的介面處插入適當的鈍化材料可以提升太陽能電池的光電轉換效率。搭配穿隧氧化層與多晶矽所形成的新穎結構即為穿隧氧化鈍化接觸，穿隧氧化層可以提升元件的開路電壓，而多晶矽薄膜可提供優良接觸功能，且在高溫環境下有著更好的穩定性，適合搭配網印金屬燒結製程。在與網印金屬製程整合中，多晶矽扮演了相當重要的角色。我們利用低壓化學氣相沉積系統沉積高品質的多晶矽薄膜，並配合銀漿製作正/背面電極製程優化，最佳化條件可獲得平均轉換效率最佳達23.2%。詳細內容．．．